廢氣處理設(shè)備,主要是指運(yùn)用不同工藝技術(shù),通過回收或去除、減少排放尾氣的有害成分,達(dá)到保護(hù)環(huán)境、凈化空氣的一種環(huán)保設(shè)備,讓我們的環(huán)境不受到污染。
1.吸收設(shè)備
吸收法采用低揮發(fā)或不揮發(fā)性溶劑對(duì)VOCs進(jìn)行吸收,再利用VOCs和吸收劑物理性質(zhì)的差異進(jìn)行分離。
含VOCs的氣體自吸收塔底部進(jìn)入塔內(nèi),在上升過程中與來自塔頂?shù)奈談┠媪鹘佑|,凈化后的氣體由塔頂排出。吸收了VOCs的吸收劑通過熱交換器后,進(jìn)入汽提塔頂部,在溫度高于吸收溫度或壓力低于吸收壓力的條件下解吸。解吸后的吸收劑經(jīng)過溶劑冷凝器冷凝后回到吸收塔。解吸出的VOCs氣體經(jīng)過冷凝器、氣液分離器后以較純的VOCs氣體離開汽提塔,被回收利用。該工藝適合于VOCs濃度較高、溫度較低的氣體凈化,其他情況下需要作相應(yīng)的工藝調(diào)整。
2.吸附設(shè)備
在用多孔性固體物質(zhì)處理流體混合物時(shí),流體中的某一組分或某些組分可被吸表面并濃集其上,此現(xiàn)象稱為吸附。吸附處理廢氣時(shí),吸附的對(duì)象是氣態(tài)污染物,氣固吸附。被吸附的氣體組分稱為吸附質(zhì),多孔固體物質(zhì)稱為吸附劑。
固體表面吸附了吸附質(zhì)后,一部被吸附的吸附質(zhì)可從吸附劑表面脫離,此現(xiàn)附。而當(dāng)吸附進(jìn)行一段時(shí)間后,由于表面吸附質(zhì)的濃集,使其吸附能力明顯下降而吸附凈化的要求,此時(shí)需要采用一定的措施使吸附劑上已吸附的吸附質(zhì)脫附,以協(xié)的吸附能力,這個(gè)過程稱為吸附劑的再生。因此在實(shí)際吸附工程中,正是利用吸附一再生一再吸附的循環(huán)過程,達(dá)到除去廢氣中污染物質(zhì)并回收廢氣中有用組分。
3.凈化設(shè)備
燃燒法用于處理高濃度Voc與有惡臭的化合物很有效,其原理是用過量的空氣使這些雜質(zhì)燃燒,大多數(shù)生成二氧化碳和水蒸氣,可以排放到大氣中。但當(dāng)處理含氯和含硫的有機(jī)化合物時(shí),燃燒生成產(chǎn)物中HCl或SO2,需要對(duì)燃燒后氣體進(jìn)一步處理。
4.治理設(shè)備
等離子體就是處于電離狀態(tài)的氣體,其英文名稱是plasma,它是由美國(guó)科學(xué) muir,于1927年在研究低氣壓下汞蒸氣中放電現(xiàn)象時(shí)命名的。等離子體由大量的子、中性原子、激發(fā)態(tài)原子、光子和自由基等組成,但電子和正離子的電荷數(shù)必須體表現(xiàn)出電中性,這就是“等離子體”的含義。等離子體具有導(dǎo)電和受電磁影響的許多方面與固體、液體和氣體不同,因此又有人把它稱為物質(zhì)的第四種狀態(tài)。根據(jù)狀態(tài)、溫度和離子密度,等離子體通??梢苑譃楦邷氐入x子體和低溫等離子體(包子體和冷等離子體)。其中高溫等離子體的電離度接近1,各種粒子溫度幾乎相同系處于熱力學(xué)平衡狀態(tài),它主要應(yīng)用在受控?zé)岷朔磻?yīng)研究方面。而低溫等離子體則學(xué)非平衡狀態(tài),各種粒子溫度并不相同。其中電子溫度( Te)≥離子溫度(Ti),可達(dá)104K以上,而其離子和中性粒子的溫度卻可低到300~500K。一般氣體放電子體屬于低溫等離子體。
5、光催化和生物凈化設(shè)備
光催化是常溫深度反應(yīng)技術(shù)。光催化氧化可在室溫下將水、空氣和土壤中有機(jī)污染物*氧化成無毒無害的產(chǎn)物,而傳統(tǒng)的高溫焚燒技術(shù)則需要在*的溫度下才可將污染物摧毀,即使用常規(guī)的催化、氧化方法亦需要幾*度的高溫。
從理論上講,只要半導(dǎo)體吸收的光能不小于其帶隙能,就足以激發(fā)產(chǎn)生電子和空穴,該半導(dǎo)體就有可能用作光催化劑。常見的單一化合物光催化劑多為金屬氧化物或硫化物,如 Ti0。、Zn0、ZnS、CdS及PbS等。這些催化劑各自對(duì)特定反應(yīng)有突出優(yōu)點(diǎn),具體研究中可根據(jù)需要選用,如CdS半導(dǎo)體帶隙能較小,跟太陽光譜中的近紫外光段有較好的匹配性能,可以很好地利用自然光能,但它容易發(fā)生光腐蝕,使用壽命有限。相對(duì)而言,Ti02的綜合性能較好,是*廣泛使用和研究的單一化合物光催化劑。